ゲート遅延時間制御による多直列パワーデバイスの電圧バランス制御
ゲート遅延時間制御による多直列パワーデバイスの電圧バランス制御
カテゴリ: 研究会(論文単位)
論文No: EDD19069,SPC19155
グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会
発行日: 2019/11/28
タイトル(英語): Voltage Balance Control for Series Connected Power Devices by Delay Time
著者名: 橋本 一馬(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)
著者名(英語): Kazuma Hashimoto(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)
キーワード: SiC-MOSFET|直列接続|フィードバック制御|遅延時間|SiC-MOSFET|Series Connected|Feedback Control|Delaytime
要約(日本語): パワーデバイスの高耐圧化を図るための多直列接続時には電圧アンバランスが問題となり, 定格電圧の超過や損失のずれからその補償が必要となる。したがって本研究では遅延時間を対象としたフィードバック制御をゲートドライバーに用いることでターンオフ時の電圧立ち上がりのタイミングをずらし, 電圧アンバランスの補償を行った。また,フィードバック制御には2種類の手法を提案し, それらを比較して違いを検証した。
要約(英語): Voltage imbalance is problem when power devices are connected in series. Compensation of voltage imbalance is necessary due to excess of rated voltage and deviation of loss. Therefore, in this study, the voltage imbalance was compensated by using feedback control for delay time for the gate driver.
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 1,210 Kバイト
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