間接遷移型半導体と直接遷移型半導体に関する一考察 -半導体遷移型の新しい解釈-

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19074,SPC19160

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): A Reconsideration on the Indirect and the Direct Semiconductors -New Interpretations of the Transition Type of Semiconductors-

著者名: 高田 育紀(元三菱電機)

著者名(英語): Ikunori Takata(Mitsubishi Electric Corp. (retired))

キーワード: 間接遷移型半導体|直接遷移型半導体|エネルギー　ギャップ|有効質量|原子半径|ドリフト移動度|indirect semiconductors|direct semiconductor|energy gap|effective mass|atom radius|drift mobility

要約(日本語): 間接遷移型半導体は、2種類のエネルギー ギャップ(Eg, Eg0)を有して、発光しないとされているが、多孔質シリコンやGaP結晶は発光する。また、加速器等の高エネルギー粒子の運動エネルギーの観測装置として半導体を用いた接合検出器(junction detector)が想定している正孔-自由電子の対発生エネルギー値は、間接遷移型半導体のEg0値や直接遷移型半導体のEg値よりも大幅に大きい。_x000D_ 本報告では、これらの問題点や両タイプの特徴をレビューすると共に、それらを説明し得る新しい解釈を提起したい。

要約(英語): Indirect semiconductors are said that they have two kinds of energy gaps (Eg, Eg0) and don't emit bright light._x000D_ However, porous silicon or GaP crystal are able to emit light obviously._x000D_ Also, the junction detector of the particle energy in a huge accelerator uses much larger Eg than indirect semiconductors' or direct semiconductors' Eg0._x000D_ In this report, the author would review these contradictions and characteristics of both semiconductor types and propose a new interpretation that could solve them.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,150 Kバイト