デバイスプロセスの高温熱負荷工程におけるSi基板中の転位挙動に関する数値計算

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19075,SPC19161

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Numerical calculation of dislocation behavior in Si substrate during high temperature thermal device process

著者名: 佐藤 亮平(九州大学),高倉 俊彦(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),更屋 拓哉(東京大学),平本 俊郎(東京大学),柿本 浩一(九州大学),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語): Ryohei Sato(Kyushu University),Toshihiko Takakura(the University of Tokyo),Kazuo Ito(the University of Tokyo),Takuya Saraya(the University of Tokyo),Toshiro Hiramoto(the University of Tokyo),Koichi Kakimoto(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University)

キーワード: デバイスプロセス|熱処理|Ｓｉウェハ|熱応力|転位欠陥|device process|heat treatment|Si wafer|thermal stress|dislocation defect

要約(日本語): 300mmSiウェハ熱処理中の転位欠陥増殖を低減させるプロセスを提唱するため、熱処理中の炉内温度分布、ウェハ内応力および転位密度の数値計算を行った。その結果、高い温度領域でウェハに印加する応力が大きいと、転位増加量が大きくなることを確認した。得られた計算結果をもとに、ウェハ内温度および応力から決まる転位増加率を一定値以下に抑えるための、入力温度履歴を決定する方法を提唱する。

要約(英語): We calculate the increase of Si wafer dislocation during thermal process, and confirm that the larger stress is applied to the wafer in a high temperature region, the more dislocation increases. In addition, we propose a method for determining the input temperature history to keep the dislocation increase rate low.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,285 Kバイト