パワー半導体の高耐量化に向けた超高速チップ表面温度分布イメージングシステムの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19076,SPC19162

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Development of ultra-high-speed chip surface temperature distribution imaging system for high robustness design of power semiconductors

著者名: 池亀 恵市(九州工業大学),渡邉 晃彦(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Keiichi Ikegame(Kyushu Institute of Technology),Akihiko Watanabe(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワー半導体|短絡試験|高速赤外線カメラ|ホットスポット|短絡耐量|故障解析|Power semiconductor|Short circuit test|High speed infrared camera|Hotspot|High-robustness|Failure analysis

要約(日本語): パワー半導体チップ表面温度分布を超高速で可視化するシステムを開発した。短絡耐量低下を招くホットスポット等を実験的に捉えることで、耐量の高いパワー半導体の設計が可能になる。本装置は時間分解能３μsの高速赤外線カメラ、DUTの破裂から観測システムを保護する回路、安全ボックスから構成されており、LabVIEWで一元的に制御されている。本システムは耐量の高いパワー半導体の設計に貢献する。

要約(英語): We propose an ultra-high-speed imaging system of surface temperature distribution on power semiconductors. This system was constructed with a high-speed infrared camera, a circuit to protect the system from DUT explosion and a safety box. This system contributes to the design of high-robustness power semiconductors by visualizing a failure mechanism.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,185 Kバイト