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パワー半導体の予知保全を実現する特性モニタリング技術

パワー半導体の予知保全を実現する特性モニタリング技術

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19077,SPC19163

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Characteristic monitoring technology for predictive maintenance of power semiconductors

著者名: 管 理(九州工業大学),渡辺 和葉(九州工業大学),附田 正則(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Li Guan(Kyushu institute of Techology),Kazuha Watanabe(Kyushu institute of Techology),Masanori Tsukuda(Kyushu institute of Techology),Ichiro Omura(Kyushu institute of Techology)

キーワード: パワー半導体|インバータ|予知保全|モニタリング|導通特性|高耐圧差動回路|power semiconductor|inverter| predictive maintenance|monitoring|conduction characteristic|high-voltage differential circuit

要約(日本語): インバータなどの変換機稼働中にIGBTやSiC-MOSFETなどのパワー半導体の導通特性を正確に計測する技術を開発した。これによりパワー半導体の特性変化を長期間に渡ってモニタリングすることが可能になる。本技術は、連続スイッチング中にパワー半導体の導通特性を高精度に計測する高耐圧差動回路とADCから構成され、インバータの模擬回路でIGBTを対象に動作実証を行った。予兆を捉え故障前に対策する予知保全システムの実現に大きく貢献する。

要約(英語): We have developed technology to accurately measure the conduction characteristics of power semiconductors such as IGBTs and SiC-MOSFETs while operating power conversion system such as inverters. This technology consists of a high-voltage differential circuit and ADC that extract the conduction characteristics of power semiconductors with high accuracy during continuous switching, and has demonstrated its operation with a pulse test simulating inverter.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,384 Kバイト

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