1.2kV SBD内蔵トレンチMOSFETの順方向通電劣化評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19078,SPC19164

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Investigation of forward degradation on 1.2kV-class SBD-wall integrated trench MOSFET

著者名: 馬場 正和(産業技術総合研究所),俵 武志(産業技術総合研究所),熊谷 直樹(富士電機),武井 学(富士電機),木村 浩(富士電機),原田 信介(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Masakazu Baba(Advanced industrial science and technology (AIST)),Takeshi Tawara(Advanced industrial science and technology (AIST)),Naoki Kumagai(Fuji Electric co., Ltd.),Manabu Takei(Fuji Electric co., Ltd.),Hiroshi Kimura(Fuji Electric co., Ltd.),Shinsuke Harada(Advanced industrial science and technology (AIST))

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|順方向通電劣化|積層欠陥|ＰＬ測定|MOSFET|Forward degradation|Stacking faults|Photoluminescence

要約(日本語): SBD内蔵トレンチMOSFETはトレンチMOSFETの低いRonAを維持しつつ、ボディダイオードに順方向通電した際に起きる積層欠陥の拡張を抑制することで、特性劣化を抑える効果が期待される。本研究では、ボディダイオードに順方向通電した際の特性劣化について調査した。セルピッチ依存性と、ユニポーラ、バイポーラ動作時の順方向劣化について評価し、セルピッチが狭いほど大きな効果が得られ、ユニポーラ動作時には劣化しないことを確認した。

要約(英語): We investigated forward degradation of SBD-wall integrated trench MOSFET in detail. Forward degradation was suppressed effectively with narrow cell pitch. In addition, forward degradation was suppressed when unipolar current dominantly flowed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,125 Kバイト