トレンチフィールドプレートを有する1200V SiCデバイス向け極短エッジ構造の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19079,SPC19165

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Trench Field Plate Engineering for High Efficient Edge Termination of 1200 V-class SiC Devices

著者名: 三塚 要(富士電機),小野澤 勇一(富士電機),脇本 節子(富士電機),藤島 直人(富士電機),Liu Yong(The Hong Kong University of Science and Technology),Yang Wentao(The Hong Kong University of Science and Technology),Feng Hao(The Hong Kong University of Science and Technology),Sin Johnny K.O.(The H

著者名(英語): Kaname Mitsuzuka(Fuji Electric Co, Ltd.),Yuichi Onozawa(Fuji Electric Co, Ltd.),Setsuko Wakimoto(Fuji Electric Co, Ltd.),Naoto Fujishima(Fuji Electric Co, Ltd.),Yong Liu(The Hong Kong University of Science and Technology),Wentao Yang(The Hong Kong University of Science and Technology),Hao Feng(The Hong Kong University of Science and Technology),Johnny K.O. Sin(The Hong Kong University of Science and Technology)

キーワード: エッジ終端|耐圧|パワーデバイス|トレンチフィールドプレート|深いトレンチ|短エッジ|Edge termination|Break down voltage|Power device|Trench field plate|Deep trench|Short edge

要約(日本語): 1200VクラスSiCパワーデバイス向けの極短エッジ構造のデバイスシミュレーションによる提案と実験検証を行った。本構造は深いトレンチ構造とそれに埋め込まれたU字型のフィールドプレートを有しており、作製した33 μmという極短エッジ構造においても、1380 Vの耐圧を有することを実験的に明らかにした。

要約(英語): Trench field plate engineering for high efficient edge termination of 1200 V-class SiC devices is proposed and experimentally demonstrated. The structure features a deep trench, and a U-shaped field plate is incorporated in the deep trench. Experimental results show that the edge termination structure which has an ultra-short width of 33 μm achieves a breakdown voltage of 1380 V.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,077 Kバイト