1200V Schottky-Diode内蔵・SiC・SJ・トレンチMOSFETの特性予測

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19080,SPC19166

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): 1200V Schottky-diode integrated SiC super-junction trench MOSFET

著者名: 北川 光彦(東芝デバイス&ストレージ)

著者名(英語): mitsuhiko kitagawa(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: ＳｉＣ|スーパージャンクション|ＭＯＳＦＥＴ|トレンチ|ショットキー|内蔵ダイオード|SiC|super-junction|MOSFET|trench|Schottky|diode

要約(日本語): 1200V Schottky-Diode内蔵・SiC・SJ・トレンチMOSFETの特性予測。トレンチゲート下のP++とトレンチゲートの間に配置したSchottky接合が特徴。トレンチゲートとSJ層(PNピッチ0.6μm,不純物濃度1×1017cm-3,厚さ7μm)で0.39mΩcm2のオン抵抗と1200V以上の阻止耐圧、100A/cm2以上の内蔵Schottky-Diodeの通電能力を確認。_x000D_

要約(英語): This paper proposes a new 1200V Schottky-diode integrated SiC super-junction trench MOSFET. The electrical characteristics were predicted using a TCAD simulation. In the case of the device model, the calculated on-state resistance was 0.39mΩcm2. Vd>1200V. Schottky current capability 100A/cm2 are confirmed.

原稿種別: 英語

PDFファイルサイズ: 1,132 Kバイト