β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードを用いたPFC回路のスイッチング特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19083,SPC19169

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Switching Characteristics of PFC circuit using b-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes

著者名: 有馬 潤(TDK),平林 潤(TDK),藤田 実(TDK),井ノ口 大輔(TDK),佐々木 公平(ノベルクリスタルテクノロジー),倉又 朗人(ノベルクリスタルテクノロジー),山腰 茂伸(タムラ製作所),福光 由章(TDK)

著者名(英語): Jun Arima(TDK Corp),Jun Hirabayashi(TDK Corp),Minoru Fujita(TDK Corp),Daisuke Inokuchi(TDK Corp),Kohei Sasaki(Novel Crystal Tech),Akito Kuramata(Novel Crystal Tech),Shigenobu Yamakoshi(Tamura Corp),Yoshiaki Fukumitsu(TDK Corp)

キーワード: 酸化ガリウム|ＳＢＤ|パワーデバイス|Ｇａ２Ｏ３|Ga2O3|SBD

要約(日本語): β-Ga2O3は、4.8 eV程度の広いバンドギャップを有し、絶縁破壊電界も高いことから、パワーデバイスへの応用が期待される材料である。_x000D_ これまでに、トレンチMOS構造を設けたGa2O3　SBD (β-Ga2O3 MOS-SBD)のJ-V特性とスイッチング特性の報告はされている。_x000D_ 今回、β-Ga2O3 MOS-SBDをPower Factor Correction (PFC)回路に搭載し動作検証を行った。_x000D_ 電流は最大２Aで、電圧が0Vから200Vの間でスイッチング動作していることを確認した。β-Ga

要約(英語): β-Ga2O3 is a material expected to be applied to power devices. _x000D_ In this work, we report a demonstration using β-Ga2O3 MOSSBD in a Power Factor Correction (PFC) circuit._x000D_ For the first time, we have successfully demonstrated the operation of a PFC circuit with a β-Ga2O3 MOSSBD.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,002 Kバイト