IGBTのEon-VCEsat-SCSOAとEMIノイズとのトレードオフ分析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19084,SPC19170

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Analysis the tradeoff among Eon-VCEsat-SCSOA and EMI niose

著者名: 西 康一(三菱電機),高橋 徹雄(三菱電機),楢崎 敦司(三菱電機)

著者名(英語): Koichi Nishi(Mitsubishi Electric Corporation),Tetsuo Takahashi(Mitsubishi Electric Corporation),Atsushi Narazaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|ＣＳＴＢＴ|ＥＭＩノイズ|ｄｖ／ｄｔ|ｄｉ／ｄｔ|ＳＣＳＯＡ|IGBT|CSTBT|EMI noise|dv/dt|di/dt|SCSOA

要約(日本語): CSTBTのEon-VCEsat-SCSOAとEMIノイズとは、複雑なトレードオフ関係にある。我々は、EMIノイズがチップ単体の低電流ターンオン時のサージ電流で間接的に評価できることを発見した。これを用いて、CSTBTの優れたEon-VCEsat-SCSOA特性を維持しつつ、EMIノイズの低減に成功した。

要約(英語): CSTBT has the complex tradeoff among Eon-VCEsat-SCSOA and EMI noise. We found that EMI noise can be indirectly evaluated by using the surge current under small current turn-on of single-chip IGBTs. By using this method, maintaining the CSTBT’s better tradeoff among Eon-VCEsat-SCSOA, we have succeeded to reduce the EMI noise.

原稿種別: 日本語

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