1200VダイオードのLCR回路モデルを用いたリカバリ振動現象解析 -カソード構造の改良について-

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19085,SPC19171

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): Analysis of Oscillatory Phenomena in Cathode Designs for 1200 V Diodes Using an LCR Circuit Model in Reverse Recovery

著者名: 布施 香織(東芝デバイス＆ストレージ),河村 圭子(東芝デバイス＆ストレージ),末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ),齋藤 渉(九州大学)

著者名(英語): Kaori Fuse(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Keiko Kawamura(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Tomoko Matsudai(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Wataru Saito(Kyushu University)

キーワード: ダイオード|ＬＣＲ回路モデル|カソード構造|Ｎバッファ層|Ｐ＋層|リカバリ振動|Diode|LCR circuit model|Cathode design|N buffer layer|P+ layer|Recovery oscillation

要約(日本語): １２００Ｖダイオードにおいて、導通時およびリカバリ時の損失低減およびリカバリ振動抑制が重要であり、対策の一つとして、カソード構造の設計が挙げられている。そこで、Ｐ+層およびＮバッファ層を設けたカソード構造にＬＣＲ回路モデルを用いて、リカバリ振動現象のメカニズムをシミュレーションおよび実験から明らかにし、最適なカソード構造を提案する。

要約(英語): 1200V diodes require low loss and free voltage oscillation in reverse recovery. We investigated the mechanisms of oscillation at the cathode design with a P+ layer and an N buffer layer by using an LCR circuit model. We confirmed the role of these cathode design through simulations and experiments.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,521 Kバイト