5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTの動作実証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD19086,SPC19172

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2019/11/28

タイトル(英語): 3300V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage

著者名: 更屋 拓哉(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),福井 宗利(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),竹内 潔(東京大学),附田 正則(北九州環境エレクトロニクス研究所),沼沢 陽一郎(明治大学),佐藤 克己(三菱電機),末代 知子(東芝デバイス&ストレージ),齋藤 渉(九州大学),角嶋 邦之(東京工業大学),星井 拓也(東京工業大学),古川 和由(東京工業大学),渡辺 正裕(東京工業大学)

著者名(英語): Takuya Saraya(The University of Tokyo),Kazuo Itou(The University of Tokyo),Toshihiko Takakura(The University of Tokyo),Munetoshi Fukui(The University of Tokyo),Shinichi Suzuki(The University of Tokyo),Kiyoshi Takeuchi(The University of Tokyo),Masanori Tsukuda(Green Electronics Research Institute),Yohichiroh Numasawa(Meiji University),Katsumi Satoh(Mitsubishi Electric Corp.),Tomoko Matsudai(Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.),Wataru Saito(Kyushu University),Kuniyuki Kakushima(Tokyo Institute of Technology),Takuya Hoshii(Tokyo Institute of Technology),Kazuyoshi Furukawa(Tokyo Institute of Technology),Masahiro Watanabe(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ|スケーリング|ＩＥ効果|IGBT|Scaling|Injection Enhancement

要約(日本語): スケーリング原理に基づく5V動作、3300V級のIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）を試作した。3300V級のIGBTにおいて、初めて5Vのゲート駆動でのスイッチング動作を実証し、通常の15V動作のIGBTに比べてターンオフ時のテール電流を低減できることを確認した。オン電圧－ターンオフ損失のトレードオフカーブにおいて、同じオン電圧で35%のターンオフ損失を実現した。

要約(英語): In this work, 5V gate drive 3300V IGBTs, designed based on a scaling principle, have been demonstrated. Turn-off characteristics without noticeable degradation in the gate voltage waveforms were confirmed. Turn-off tail current of the scaled devices significantly decreased than conventional 15V-driven devices. As a result of both Vce and turn-off loss reduction, 35% improvement in Eoff vs Vcesat relationship was achieved.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,802 Kバイト