650V耐圧車載グレードのGaNパワートランジスタの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2020/03/02

タイトル(英語): Development of 650V Automotive Grade GaN Power Transistors

著者名: 庄野 健(トランスフォーム・ジャパン),細田 勉(トランスフォーム・ジャパン),今西 健治(トランスフォーム・ジャパン),浅井 祥守(トランスフォーム・ジャパン),バー ロナルド(Transphorm Inc.),ウー イーフェン(Transphorm Inc.),パリク プリミット(Transphorm Inc.)

著者名(英語): Ken Shono(Transphorm Japan Inc.),Tsutomu Hosoda(Transphorm Japan Inc.),Kenji Imanishi(Transphorm Japan Inc.),Yoshimori Asai(Transphorm Japan Inc.),Ronald Barr(Transphorm Inc.),Yifeng Wu(Transphorm Inc.),Primit Parikh(Transphorm Inc.)

キーワード: ＧａＮ　ｏｎ　Ｓｉ|パワートランジスタ|信頼性|ＡＥＣ－Ｑ１０１|車載|ＪＥＤＥＣ|GaN on SI|power transistor|reliability|AEC-Q101|automotive|JEDEC

要約(日本語): 650V耐圧、車載グレードのGaNパワートランジスタを、GaN on Si 横型MISFET構造で開発した。カスコード接続でノーマリオフを実現した。車載グレードの信頼性試験基準であるAEC-Q101をパスしている。高速スイッチング可能であるため、高効率で小型の電源装置に民生および産業用途ですでに量産中である。開発した構造はスケーリング可能で、900V耐圧の汎用グレードの製品も量産開始している。

要約(英語): 650V rating GaN power transistor with Lateral MISFET GaN on Si structure was developed. Cascode configuration was employed to achieve Vth of 4V compatible with Si super junction MOSFET. These GaN power transistors successfully passed the industrial standard automotive qualification tests of AEC-Q101. 900V rating GaN power transistors were also developed and already passed JEDEC qualification tests.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 976 Kバイト