表面活性化接合法により作製したダイヤモンド基板上GaNデバイス

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2020/03/02

タイトル(英語): GaN-on-Diamond HEMTs fabricated by surface-activated bonding technology

著者名: 檜座 秀一(三菱電機),藤川 正洋(三菱電機),滝口 雄貴(三菱電機),西村 邦彦(三菱電機),柳生 栄治(三菱電機),山向 幹雄(三菱電機),松前 貴司(産業技術総合研究所),倉島 優一(産業技術総合研究所),高木 秀樹(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Shuichi Hiza(Mitsubishi Electric Corporation),Masahiro Fujikawa(Mitsubishi Electric Corporation),Yuki Takiguchi(Mitsubishi Electric Corporation),Kunihiko Nishimura(Mitsubishi Electric Corporation),Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric Corporation),Mikio Yamamuka(Mitsubishi Electric Corporation),Takashi Matsumae(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yuichi Kurashima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hideki Takagi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 窒化ガリウム|ダイヤモンド|接合|研磨|高電子移動度トランジスタ|放熱|GaN|diamond|bonding|polishing|HEMT|heat dissipation

要約(日本語): 表面活性化接合法を用いたプロセスにより、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）と単結晶ダイヤモンドとの接合形成に成功した。作製したデバイスの正常な動作およびダイヤモンド基板による高い放熱効果を確認した。

要約(英語): GaN-on-Diamond high electron mobility transistors (GaN-on-Diamond HEMTs, GoD HEMTs) were successfully fabricated using surface activated room temperature bonding method. GaN-HEMTs layer removed from original substrate was finely polished and bonded with well-polished diamond substrate using surface-activated room-temperature bonding method. The bonded interface was well-formed without involving any voids. DC characteristics and temperature-imaging results of fabricated HEMTs revealed that fabricated GoD HEMTs realized drastic improvement of local heating during transistor operation thanks to extra-high thermal conduction through diamond substrate.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,279 Kバイト