ワイドバンドギャップ半導体を利用した量子センサ開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2020/03/02

タイトル(英語): Development of Quantum Sensor Using Wide Bandgap Semiconductor

著者名: 小野田 忍(量子科学技術研究開発機構),磯谷 順一(筑波大学),寺地 徳之(物質・材料研究機構),川原田 洋(早稲田大学),谷井 孝至(早稲田大学),加田 渉(群馬大学),波多野 睦子(東京工業大学),大島 武(量子科学技術研究開発機構)

著者名(英語): Shinobu Onoda(National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology),Junichi Isoya(University of Tsukuba),Tokuyuki Teraji(National Institute for Materials Science),Hiroshi Kawarada(Waseda University),Takashi Tanii(Waseda University),Wataru Kada(Gunma University),Mutsuko Hatano(Tokyo Institute of Technology),Takeshi Ohshima(National Institutes for Quantum and Radiological Science and Technology)

キーワード: ワイドバンドギャップ半導体|ダイヤモンド|ＮＶセンター|量子センサ|Wide bandgap semiconductor|Diamond|NV center|Quantum sensor

要約(日本語): ワイドバンドギャップ半導体中の点欠陥には、電子スピンの量子状態を利用した量子センサとして利用できるものがある。近年、ダイヤモンド中のNV（窒素空孔）センターは室温においても利用できることから、様々な量子センサとしての開発が進んでいる。発表では、我々の取り組んでいる量子ビームを利用した量子センサ開発状況について紹介する。

要約(英語): Some point defects in a wide bandgap semiconductor, such as diamond, is utilized for a quantum sensor based on a quantum state of electron spin even at room temperature. In the presentation, we will introduce the development of quantum sensor by using quantum beam technology.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,055 Kバイト