SiC-MOSFETの回路シミュレーションモデルの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2020/03/02

タイトル(英語): Development of a Compact Model for an SiC-MOSFET

著者名: 椋木 康滋(三菱電機)

著者名(英語): Yasushige Mukunoki(Mitsubishi Electric Corporation)

要約(日本語): 本稿では、SiC-MOSFETの回路シミュレーションモデルついて述べる。本モデルは、MOSFETの出力特性部の準物理モデル、寄生容量の電圧依存モデルに特徴を持つ。開発したモデルのスイッチング動作解析結果は実測を高精度に再現する。

要約(英語): This paper describes development of a compact model for an SiC-MOSFET. It features semi-physics model for its components, and reproduce its switihing waveforms accurately.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,125 Kバイト