超1 THz動作実現にむけた基板転写InP DHBTのエピタキシャル成長技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2020/03/02

タイトル(英語): Recent Progress on Epitaxial Growth of Substrate-Transferred DHBTs toward 1-THz operation

著者名: 星 拓也(日本電信電話),白鳥 悠太(日本電信電話),松崎 秀昭(日本電信電話)

著者名(英語): Takuya Hoshi(NTT Corporation),Yuta Shiratori(NTT Corporation),Hideaki Matsuzaki(NTT Corporation)

キーワード: ＩｎＰヘテロ接合バイポーラトランジスタ|エピタキシャル成長|有機金属化学気相堆積|基板転写|InP heterojunction bipolar transistor |Epitaxial growth|Metal-organic chemical vapor deposition|Substrate transfer

要約(日本語): 1THz以上での動作を目指した、InP系基板転写DHBTのためのエピタキシャル成長技術についての報告。

要約(英語): We report recent Progress on Epitaxial Growth of Substrate-Transferred DHBTs towards 1-THz operation.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,212 Kバイト