パラメータ推定を用いたSiC-MOSFETのNear Interface Trap密度分布の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20050,SPC20200

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Evaluation of Near Interface Trap density distribution of SiC-MOSFET by Parameter Estimation

著者名: 山下 侑佑(豊田中央研究所)

著者名(英語): Yusuke Yamashita(Toyota Central R&D Labs. Inc.)

キーワード: ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|トラップ|しきい値変動|パラメータ推定|SiC-MOSFET|trap|threshold voltage shift |parameter estimation

要約(日本語): SiC-MOSFETのしきい値電圧変動は、SiO2に存在するNear Interface Trap(NIT)に起因すると言われている。しかしNITのエネルギーおよび空間分布を同時に評価することは困難である。本稿では、最適化計算によるパラメータ推定を用いて、NIT分布を評価する新しい手法を提案し、2種類の欠陥が存在する可能性を見出した。

要約(英語): The threshold voltage shift of SiC-MOSFET is caused by the Near Interface Trap (NIT). However, it is difficult to evaluate the energy and spatial distribution of the NIT. We propose a new method to evaluate the NIT distribution using parameter estimation and find that two types of defects may exist.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,565 Kバイト