DCブレーカ応用のための並列SiC-MOSFET耐圧ばらつき許容範囲の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20051,SPC20201

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Investigation of Acceptable Breakdown Voltage Variation for Parallel-Connected SiC MOSFETs Applied in DC Breakers

著者名: Lou Zaiqi(九州大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語): Zaiqi Lou(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University)

キーワード: パワーＳｉＣ　ＭＯＳＦＥＴ|固体遮断機|非クランプ誘導性スイッチング試験|並列接続|信頼性|熱破壊|power SiC MOSFET|solid state circuit breaker|UIS test|parallel connect|reliability|thermal destruction

要約(日本語): SiC素子を用いたDCブレーカーの耐量を上げるために、2つ以上の並列接続されたデバイスが必要である。ただし、SiC-MOSFET間の耐圧ばらつきにより、電流アンバランスが生じ、アバランシェエネルギーにより熱破壊が発生する。したがって、熱破壊を避けるために、並列接続されたSiC-MOSFETの耐圧ばらつきの許容範囲を明確にする必要がある。本研究では、並列接続されたSiC-MOSFETの耐圧ばらつきの許容範囲の電流依存を明らかにします。

要約(英語): As for SSCBs with parallel-connected SiC MOSFETs, because of breakdown voltage variation among SiC MOSFETs, current share cannot be equal once over load condition occurs that may lead to thermal destruction. So the acceptable breakdown voltage variation is investigated to improve reliability of the aforementioned SSCBs

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,262 Kバイト