デジタルゲートドライブ方式を用いたIGBTのスイッチング特性最適化技術の研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20055,SPC20205

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Research on IGBT switching characteristic optimization technology using digital gate drive method

著者名: 原崎 宏治(九州工業大学),附田 正則(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): kouji Harasaki(Kyushu Institute of Technology),Masanori Tsukuda(Kyushu Institute of Technology),ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: ＩＧＢＴ|ゲート制御|デジタルゲートドライブ方式|最適化手法|IGBT|Gate control|Digital gate drive method|Optimization method

要約(日本語): IGBTではスイッチング損失とサージ電圧がトレードオフの関係にあるためサージ電圧抑制のためにスイッチング損失の増加を許容してきた。デジタルゲートドライブ(DGD)方式はこの問題を解決できる技術として期待されているが、今のところ限られた素子と最適化条件での効果確認にとどまっている。今回、多様なIGBTチップを様々な最適化条件で試験しDGD方式の効果を総合的に評価した。その結果チップの基本特性と効果の関係性が明らかになった。

要約(英語): The digital gate drive (DGD) method is confined to confirm the effect under limited elements and optimization conditions. We tested multiple IGBT chips under various optimization conditions and comprehensively evaluated the effect of the DGD method on switching loss and surge voltage. As a result, the relationship between the basic characteristics of the chip and the effect was clarified.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,790 Kバイト