60-150 V系フィールドプレートパワーMOSFETの損失低減に向けた設計指針

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20056,SPC20206

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Design Direction of 60-150 V-class Field-Plate Power MOSFETs for the Loss Reduction

著者名: 小川 大地(九州大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学)

著者名(英語): Taichi Ogawa(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University)

キーワード: パワーＭＯＳＦＥＴ|フィールドプレート|オン抵抗|性能指数|最適化|応力|power MOSFET|Field-Plate|on-resistance|figure-of-merit|optimization|mechanical stress

要約(日本語): 60-150 V系フィールドプレート（FP）パワーMOSFETの損失低減に向けた設計指針をTCADシミュレーションにより求めた．その結果，FPパワーMOSFETのオン抵抗と性能指数RonQswは同じ設計指針で向上することができないことが分かった．また，設計パラメータの最適化によりオン抵抗は既報値より低減可能だが，RonQg，RonQsw，RonQossを低減することは困難なため，新構造などの新たなアプローチが必要であることが示された．

要約(英語): The design direction of 60-150 V-class Field-Plate power MOSFETs was analyzed toward the figure-of-merit limit. The results show the on-resistance and the RonQsw cannot be improved by the same design direction, and the potential of RonQ reduction is not maintained. Therefore, approach from the other direction is required.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,184 Kバイト