650V定格FP-MOSFET実現に向けた理論検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20057,SPC20207

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Feasibility study of 650V rated FP-MOSFET

著者名: 星原 宏紀(九州工業大学),伊東 篤史(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Koki Hoshihara(Kyushu Institute of Technology),Atsushi Ito(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワーデバイス|ＭＯＳＦＥＴ|Ｆｉｅｌｄ－Ｐｌａｔｅ　ＭＯＳＦＥＴ|Ｓｕｐｅｒ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ　ＭＯＳＦＥＴ|ＴＣＡＤシミュレーション|イオン化積分|Power device|MOSFET|Field-Plate MOSFET|Super Junction MOSFET|TCAD simulation|Impact ionization

要約(日本語): フィールドプレートMOSFET（FP-MOSFET）はシリコン限界より低オン抵抗を実現できるため150V程度まで商品化されている。FP-MOSFETのさらなる高耐圧化を目指し650V定格のFP-MOSFETについて解析による研究を行った。本研究では数式による解析モデルとイオン化積分を組み合わせた設計モデルで構造設計し、TCADによる確認を行った。その結果、650V定格でSJ-MOSFETと同等以下のオン抵抗実現が原理的に可能であることを明らかにした。

要約(英語): In this study, we designed a Field-Plate MOSFET structure using a design model that combines mathematical analysis and ionization integral. The feasibility of this model is confirmed with the TCAD simulation. As a result, it was clarified that it is possible in principle to realize on-resistance equal to or less than that of 650V rated SJ-MOSFET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,255 Kバイト