薄層SOIパワーnMOSFETとpMOSFETのホットキャリア効果の比較

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20060,SPC20210

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Comparisons of AC Hot carrier effect of thin-film SOI Power nMOSFET and pMOSFET

著者名: 有吉 和麻(九州工業大学),松本 聡(九州工業大学),渡邉 晃彦(九州工業大学)

著者名(英語): Kazuma Ariyoshi(Kyushu Institute of Technology),Satoshi Matsumoto(Kyushu Institute of Technology),Akihiko Watanabe(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: 薄層ＳＯＩパワーＭＯＳＦＥＴ|ホットキャリア効果|寄生バイポーラ効果|thin-film SOI power MOSFET|hot carrier effect|parasitic bipolar effect

要約(日本語): この論文では、薄層SOIパワーpMOSFETのACホットキャリア効果を調査し、nMOSFETと比較する。nMOSFETの場合、電子のみが注入される。 pMOSFETの場合、電子と正孔の両方が注入される。 薄層SOIパワーpMOSFETのホットキャリア効果はnMOSFETよりも弱い。nMOSFERでは低周波で素子破壊が発生するが、pMOSFETでは低周波でも素子破壊が発生しない。

要約(英語): This paper investigates the AC hot carrier effect of thin-film SOI Power pMOSFET and compares it with nMOSFET. For nMOSFET, only electrons are injected. For pMOSFET, both electrons and holes are injected. Hot carrier effect of the thin film SOI pMOSFET is weaker than that of nMOSFET. In nMOSFET, device destruction occur at low frequency, but in pMOSFET, device destruction do not occur at low frequency.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,209 Kバイト