パワーデバイス電流集中測定技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20062,SPC20212

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Power device current concentration measurement technology

著者名: 西尾 成植(九州工業大学),松浦 成哉(九州工業大学),附田 正則(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Narinao Nishio(Kyushu Institute of Technology),Seiya Matsuura(Kyushu Institute of Technology),Masanori Tsukuda(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワーデバイス|電流集中現象|セグメントコレクタＩＧＢＴ|フレキ電流センサ|Power device|Current concentration phenomenon|Segmented collector IGBT|Flexible current sensor

要約(日本語): ＩＧＢＴモジュールなどパワーデバイスパッケージ内部のチップ間及びチップ内での電流集中現象は、電流センサのサイズやＩＧＢＴチップ内の電流分離の問題から測定困難であった。本研究では、電流センサの小型化と特殊なサンプルＩＧＢＴの作製により、実使用と同等の条件下で電流集中現象の測定に成功した。本技術は電流集中のメカニズムの分析に大きく貢献する。

要約(英語): In this research, we measured the current concentration in IGBT chip and IGBT module under actual operating conditions by making a special IGBT chip and downsizing the current sensor. This technology greatly contributes to the analysis of the mechanism of current concentration.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,776 Kバイト