SiCショットキーバリアダイオードを多直列した超高耐圧モジュールにおける電圧分担に関する一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20065,SPC20215

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): A Study on Voltage distribution of ultra high voltage SBD module with directly stacking SiC SBD bare chips in series

著者名: 野村 優貴(大阪大学),花田 俊雄(福島SiC応用技研),中村 孝(福島SiC応用技研),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Yuki Nomura(Osaka university),Toshio Hanada(Fukushima SiC Applied Engineering Inc),Takashi Nakamura(Fukushima SiC Applied Engineering Inc),Tsuyoshi Funaki(Osaka university)

キーワード: 高電圧|ショットキーバリアダイオード|コッククロフトウォルトン回路|ＳｉＣ|high voltage|schottky barrier diode|Cockcroft- Walton circuit|SiC

要約(日本語): 　本研究では高周波動作するCockcroft-Walton(CW)回路などに用いる超高圧ダイオードモジュールを開発した。本モジュールは分圧抵抗を使用せず、複数のSiCショットキーバリアダイオードのダイを直接直列接続した構造となっている。直列接続する個々のダイオードの静特性から定常状態及びスイッチング過渡状態おける各素子の電圧分担を評価し、安全動作が可能なモジュールの駆動条件を示す。

要約(英語): This paper develops ultra-high voltage(HV) SiC Schottky barrier diode(SBD) module for high frequency(HF) Cockcroft-Walton(CW) circuit. This module directly stacks SiC SBD bare chips in series without voltage divider resistors. Voltage distribution for each SBD in static and transient state are evaluated based on the static characteristics of each SBD. Furthermore, the limitation of safety operating condition for this module is discussed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,806 Kバイト