安定動作するダイレクト駆動GaNカスコードデバイス

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20067,SPC20217

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Stable operation of direct-drive GaN device

著者名: 杉山 亨(東芝デバイス＆ストレージ),洪 洪(東芝デバイス＆ストレージ),磯部 康裕(東芝デバイス＆ストレージ),吉岡 啓(東芝デバイス＆ストレージ),安住 壮紀(東芝デバイス＆ストレージ),佐藤 裕介(東芝デバイス＆ストレージ),辻 正敬(東芝デバイス＆ストレージ), 劉 一堯(東芝デバイス＆ストレージ),梅川 真一(東芝デバイス＆ストレージ),梶原 瑛祐(東芝),小山 将央(東芝),池田　 健太郎(東芝)

著者名(英語): Toru Sugiyama(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Hung Hung(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Yasuhiro Isobe(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Akira Yoshioka(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Takenori Yasuzumi(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Yusuke Sato(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Masataka Tsuji(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Yiyao Liu(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Shinichi Umekawa(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Yosuke Kajiwara(Toshiba Corporation ),Masahiro Koyama(Toshiba Corporation),Kentaro Ikeda(Toshiba Corporation)

キーワード: ＧａＮパワーデバイス|カスコード接続|ダイレクト駆動|信頼性|ＬＬＣコンバーター|GaN powe device|Cascode connection|Direct drive|Reliability|LLC converter

要約(日本語): 本報告では、ディスクリート型ダイレクト駆動方式がSiパワー素子と同様にゲート抵抗でスルーレート制御ができ、またゼロボルトスイッチング（ZVS）の遷移期間における誤オンのリスクが構造的に低いことを示す。更に、提案するゲート駆動回路を用いて、LLC回路動作の検証を行った。尚、使用しているノーマリオン型GaN－HEMTの信頼性（高温バイアス試験）にも触れ、十分な真性寿命があることを示す。

要約(英語): We describe a proposed direct-drive GaN device _x000D_ that allows the slew rate to be controlled by a gate sistance. This device is immune to the risk of false on during zero volt switching (ZVS) and as an application, LLC converter was verified. The normally-ON GaN HEMT used is highly reliable._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,518 Kバイト