13kV UHV-IGBTの理論検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20068,SPC20218

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): 13KV UHV-IGBT: Feasibility Study

著者名: 伊東 篤史(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Atsushi Ito(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: パワー半導体|ＩＧＢＴ|１３ｋＶ定格|Power semiconductor|IGBT|13kV rated

要約(日本語): 13kV-UHV-IGBTの実現可能性に関して数値解析を用いて検討した。現状の6.5kV定格IGBTに対しNベース長が長いため損失が増加するが、セル設計の見直し、十分に長いキャリアライフタイム、ダブルゲート構造の採用により6.6kVDC、25A/cm^2で150Hzの動作が可能であることを示した。13kV定格の耐圧をガードリング終端構造で実現でき、電流・電圧スナバの導入が効果的であることも示した。

要約(英語): The feasibility of 13kV-UHV-IGBT was examined using numerical analysis._x000D_ By changing the design of 6.5 kV IGBT, it is possible to operate up to 6.6kV DC at 150 Hz. Also a withstand voltage of 13 kV is realized by the guard ring termination. Snubber circuit can further improve the device characteristics._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,348 Kバイト