Deep-N層によるIGBTの宇宙線耐量改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20070,SPC20220

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Improvement of Cosmic Ray Robustness in IGBT with Deep-N layer

著者名: 吉川 大輝(東芝デバイス＆ストレージ),林 才人(東芝デバイス&ストレージ),山下 浩明(東芝デバイス&ストレージ),川口 雄介(東芝デバイス&ストレージ)

著者名(英語): Daiki Yoshikawa(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Masato Hayashi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Hiroaki Yamashita(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: ＩＧＢＴ|宇宙線耐量|実験|シミュレーション|IGBT|Cosmic Ray Robustness|Experiment|Simulation

要約(日本語): IGBTは， Si厚を薄くすることで損失特性が改善されるが，その背反として宇宙線耐量の悪化があり，このトレードオフを改善することが求められる．本研究は，宇宙線耐量の破壊メカニズムをシミュレーションによって明らかにするとともに，IGBTのコレクタ側にDeep-N層を挿入することによって，この損失特性と宇宙線耐量のトレードオフが改善されることを，実験的に明らかにした．

要約(英語): The loss characteristics of IGBT have been improved by thin-wafer-technology, while cosmic ray robustness gets worse. In this study, we clarified the mechanism of cosmic ray failure mode by simulation, and Deep-N layer introduced in backside of IGBT improves the robustness without sacrificing the loss characteristics experimentally.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,476 Kバイト