1200VダイオードのLCR回路モデルを用いたリカバリ振動解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20071,SPC20221

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Analysis of Recovery Oscillation Inhibition for Cathode Design of a 1200 V Silicon Diode Using an LCR Circuit Model

著者名: 布施 香織(東芝デバイス＆ストレージ),河村 圭子(東芝デバイス＆ストレージ),末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ)

著者名(英語): Kaori Fuse(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Keiko Kawamura(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Tomoko Matsudai(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)

キーワード: ダイオード|ＬＣＲ回路モデル|カソード構造|カソードＰ＋層|リカバリ振動|Ｑ　ｆａｃｔｏｒ|Diode|LCR circuit model|Cathode design|Cathode P+ layer|Voltage oscillation|Q factor

要約(日本語): 1200Vダイオードのリカバリ時振動現象をLCR回路モデルを用いて解析した。カソードにN+/P+を有する構造において、振動強度が、デバイスシミュレーションを用いて算出した振動条件を満たす領域の比率と、Q factor（振動の数値化）の相関で決まることをシミュレーションおよび実測から明らかにした。

要約(英語): The relationship between cathode N+/P+ design and the Q factor (quantified oscillation) is analyzed using an LCR circuit model in a 1200 V silicon diode. We confirmed that the width ratio of the cathode N+ layer to the cathode N+/P+ layer is involved in recovery oscillation phenomena.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,085 Kバイト