スプリットゲート構造を用いた低損失・低ノイズなCSTBTベースのRC-IGBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20072,SPC20222

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): CSTBT based Split-Gate RC-IGBT with Low Loss and EMI noise

著者名: 西 康一(三菱電機),古川 彰彦(三菱電機)

著者名(英語): Koichi Nishi(Mitsubishi Electric Corporation ),Akihiko Furukawa(Mitsubishi Electric Corporation )

キーワード: ＩＧＢＴ|ＣＳＴＢＴ|スプリットゲート|ＥＭＩノイズ|ＲＣ－ＩＧＢＴ

要約(日本語): 600V級CSTBTのEMIノイズはdi/dt律速であり、低ノイズかつ低ターンオン損失を実現するためには帰還容量低減が有効である。我々はスプリットゲート構造をCSTBTベースのRC-IGBTに適用することで、EMIノイズやSOAを悪化させることなく、80%の帰還容量低減と15%の損失低減を実証した。

要約(英語): Miller capacitance (Cres) reduction is effective to improve EMI noise and turn-on loss of 600V class CSTBT, because EMI noise is dominated by di/dt. By using the split-gate structure, Cres is reduced by 80%, which leads to 15% reduction in power loss without any sacrifice of EMI noise and SOA.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,314 Kバイト