オン時帰還容量低減と部分ライフタイム制御を適用した1200V級RC-IGBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20073,SPC20223

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): 1200V RC-IGBT based on CSTBTTM with Suppressed Dynamic Cres and Partial Lifetime Control

著者名: 曽根田 真也(三菱電機),新田 哲也(三菱電機),古川 彰彦(三菱電機)

著者名(英語): Shinya Soneda(Mitsubishi Electric Corporation),Tetsuya Nitta(Mitsubishi Electric Corporation),Akihiko Furukawa(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 帰還容量|ライフタイム制御|ＲＣ－ＩＧＢＴ|電圧テール|Dynamic Cres|Partial lifetime control|RC-IGBT|Voltage tail

要約(日本語): RC-IGBTにおいて高電流密度化を進めると、電圧テールによってスイッチング損失が増大する課題があった。その電圧テールの原因は、SW期間中のオン時帰還容量であることをT-CADシミュレーションで解明し、オン時帰還容量を低減できる構造を提案と実デバイス検証を行った。また、全体的な損失性能を改善するために、部分ライフタイム制御を採用し、電圧テールの抑制と合わせて損失性能を大幅に改善した。

要約(英語): In order to reduce the power loss of RC-IGBTs, we introduced two approaches. One is an optimization of dynamic Cres that induces a voltage tail and an increase of power losses. Another approach is a partial lifetime control technique without adverse effect on the characteristics of the IGBT.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,096 Kバイト