1200VダブルゲートIGBTのターンオフ特性におけるdV/dt依存性の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20074,SPC20224

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Analysis of Dependence of dVCE/dt on Turn-off Characteristics with a 1200 V Double-gate IGBT

著者名: 岩鍜治 陽子(東芝デバイス＆ストレージ),末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ),坂野 竜則(東芝),高尾 和人(東芝)

著者名(英語): Yoko Iwakaji(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Tomoko Matsudai(Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.),Tatsunori Sakano(Toshiba Corp.),Kazuto Takao(Toshiba Corp.)

キーワード: ＩＧＢＴ|ターンオフ|ゲート制御|ダブルゲート駆動|ｄＶ／ｄｔ|IGBT|Turn-off|gate control|double-gate drive|dV/dt

要約(日本語): 近年、シリコンIGBTにおいては、シリコン限界に起因しチップ構造開発だけではチップ性能の大幅改善が困難な段階になりつつある。システム全体で損失改善を図る制御技術の一つとして、2系統のゲートを有し、駆動タイミングの調整によりターンオフ損失の改善を図ったダブルゲートIGBTが提案されている。今回、ダブルゲートIGBTチップを作製し、そのターンオフ動作におけるdV/dt依存性について解析を実施したので報告する。

要約(英語): The limits of silicon have recently made it increasingly difficult to improve the performance of Si-IGBTs through modification of chip structures alone. Double-gate IGBT is proposed as one of gate-control technique which reduces turn-off loss throughout the system by using a device with two gates controlled at different timings. In this study, we fabricated a double-gate IGBT and analyzed the dependence of dVCE/dt on turn-off operations.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,242 Kバイト