15V駆動の微細IGBTにおける電流飽和メカニズムの研究

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD20076,SPC20226

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2020/12/21

タイトル(英語): Study on Current Saturation Mechanism of Miniaturized IGBTs Driven by 15V Gate Voltage

著者名: 伊倉 巧裕(富士電機),小野澤 勇一(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): Yoshihiro Ikura(Fuji Electric),Yuuichi Onozawa(Fuji Electric),Akio Nakagawa(NAKAGAWA Consulting Office)

キーワード: ＩＧＢＴ|飽和電流|微細化|スケーリング|IGBT|saturation current|miniaturization|scaling

要約(日本語): 本研究で、微細IGBTの電流飽和のメカニズムを明らかにし、15V駆動でも飽和電流を低く保つ方法を報告する。電流飽和は２つのメカニズムから生じ、それぞれ飽和電流特性に変曲点をもたらす。これらの発見から、２つの対処法が提案される。１つはNエミッタ層の下のPベース層の横方向の抵抗を下げることであり、もう１つはホール電流を下げることである。

要約(英語): In this work, we report detailed current saturation mechanism of the miniaturized IGBTs and shows solutions to keep the saturation current sufficiently low, even if 15V gate voltage is used. There are two saturation mechanisms which result in two inflection points of the current saturation characteristics of the miniaturized IGBTs. Based on our findings, there are two ways to suppress the saturation current increase. One is decreasing the lateral P-base resistance under the N+-Emitter. The other is decreasing the hole current density.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,446 Kバイト