YをドープしたHf02の相変化による誘電率の上昇

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05023

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Permittivity increase of Y-doped HfO2 through Structural Phase Transformation

著者名: 喜多 浩之(東京大学),弓野健太郎 (東京大学),鳥海 明(東京大学)

著者名(英語): Koji Kita(The University of Tokyo),Kentaro Kyuno(The University of Tokyo),Akira Toriumi(The University of Tokyo)

キーワード: 酸化ハフニウム|イットリウム.高誘電率絶縁膜|誘電率.相変化

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,003 Kバイト