ACストレス下のNBTIに及ぼす極薄SiON膜中窒素プロファイルの影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05024

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Influence of Nitrogen Distribution in Ultra-thin SiON on NBTI under AC Stress

著者名: 三谷 祐一(株),松澤一也東芝 研究開発センター LSI 基盤技術ラボラトリー (株)

著者名(英語): Yuichiro Mitani(Advanced LST Technology Laboratory. Corporated Reserch and Development Center,Toshiba Corporation),Kazuya Matsusawa(Advanced LST Technology Laboratory. Corporated Reserch and Development Center,Toshiba Corporation)

キーワード: 負バイアス温度不安定性|間借|回復|ACストレス|界面準位|信頼性

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,047 Kバイト