キャリア分離法を用いたhigh-k stackゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05025

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Carrier separation analysis for clarifying carrier conduction and degradation mechanisms in high-k stack gate dielectrics

著者名: 水林 亘(半導体MIRA-産総研 ASRC),安田 直樹(半導体MIRAI-ASET),岡田 健治(半導体MIRAI-ASET),太田 裕之(半導体MIRA-産総研 ASRC),堀川 剛(半導体MIRA-産総研 ASRC),岩本 邦彦(半導体MIRAI-ASET),生田目 俊秀(半導体MIRAI-ASET),佐竹 秀喜(半導体MIRAI-ASET),鳥海 明(半導体MIRA-産総研 ASRC,東大)

著者名(英語): Wataru Mizubayashi(MIRAI-AIST),Naoki Yasuda(MIRAI-ASET),Kenji Okada(MIRAI-ASET),Hiroyuki Ota(MTRAl-AIST),Tsuyoshi Horikawa(MTRAl-AIST),Kunihiko Iwamoto(MIRAI-ASET),Toshihide Nabatame(MIRAI-ASET),Hideki Satake(MIRAI-ASET),Akira Toriumi(MIRAI-AIST,Univ.of Tokyo)

キーワード: high-k|キャリア分離法|キャリア伝導|絶縁性劣化

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 962 Kバイト