低スタンバイ電力用途HfSiONトランジスタの高集積化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05026

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Integration of HfSiON Transistors for Low-Standby-Power Applications

著者名: 大塚 文雄(半導体先端テクノロジーズ(selete)),峰地輝(NECエレクトロニクス),田村泰之(半導体先端テクノロジーズ(selete)),渡辺俊成(半導体先端テクノロジーズ(selete)),佐々木隆興(セイコーエプソン),青山知憲(東芝),安平光雄(松下電器産業),有門経敏 (東京エレクトロン)

著者名(英語): Fumio Ootsuka()

キーワード: HfSiON トランジスタ|低リーク|低スタンバイ電力､SRAM､低熱負荷

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,184 Kバイト