相制御Niフルシリサイド電極を用いたHfSiON高誘電率ゲート絶縁膜MOSFETの作製と電気特性の評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05027

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Ftion and Electrical Characteristics of HfSiON MOS Transistors with Ni-silicate Gate Electrode by using Phase-Controlled Full-Solicitation (PC-FUSI) Technique

著者名: 高橋 健介(NEC システムデバイス研究所),問部謙三 (NEC システムデバイス研究所),五十嵐 多恵子(NEC システムデバイス研究所),五十嵐 信行(NEC システムデバイス研究所),長谷 卓(NEC システムデバイス研究所),吉原拓也 (NEC システムデバイス研究所),渡部 平司(NEC システムデバイス研究所),辰巳 徹(NEC システムデバイス研究所),望月 康則(NEC システムデバイス研究所)

著者名(英語): Kensuke Takahashi(System Devices Research Laboratories,NEC Corporation),Kenzo Mimabe(System Devices Research Laboratories,NEC Corporation),Taeko Ikarashi(System Devices Research Laboratories,NEC Corporation),Nobuyuki Ikarashi(System Devices Research Laboratories,NEC Corporation),Takashi Hase(System Devices Research Laboratories,NEC Corporation),TakuyaY oshihara(System Devices Research Laboratories,NEC Corporation),Heiji Watanabe(System Devices Research Laboratories,NEC Corporation),Toru Tatsumi(System Devices Research Laboratories,NEC Corporation),Yasunori Mochizuki(System Devices Research Laboratories,NEC Corporation)

キーワード: Niフルシリサイド|メタルゲート|窒化ハフニウムシリケ- ト|高誘電率ゲート絶縁膜|相制御

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 831 Kバイト