HfSiONゲート絶縁膜CMOSの性能と信頼性におけるHf濃度の影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05028

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Impact of Hf Concentration on Performance and Reliability for HfSiON-CMOS

著者名: 渡辺 健(株式会社 東芝 セミコンダクタ一社),高柳 万里子(株式会社 東芝 セミコンダクタ一社)

著者名(英語): Takeshi Watanabe(Toshiba Corporation Semiconductor Company),Mariko Takayanagi(Toshiba Corporation Semiconductor Company)

キーワード: 相補型金属酸化膜半導体|窒化ハフニウムシリケ- ト|高誘電率膜|ゲート絶縁膜|ハフニウム濃度

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 937 Kバイト