ポーラスシリカの低誘電率絶縁膜への応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05029

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Development of Mesoporous Silica Films for Ultra Low-k Interlayer Dielectrics

著者名: 藤井 宣年(半導体MIRAI-ASET),中山 高博(半導体MIRAI-ASET),高村 一夫(半導体MIRAI-ASET),田中 博文(半導体MIRAI-ASET),清野 豊(半導体MIRI-産総研 ASRC),秦 信宏(半導体MIRI-産総研 ASRC),吉野 雄信(半導体MIRI-産総研 ASRC),吉川 公麿(半導体MIRAI-産総研 ASRC,広島大)

著者名(英語): Nobutoshi Fujii(MIRAI-ASET),Takahiro Nakayama(MIRAI-ASET),Kazuo Komura(MIRAI-ASET),Hirofumi Tanaka(MIRAI-ASET),Yutaka Seino(MIRAI-ASRC-AIST),Nobuhiro Hata(MIRAI-ASRC-AIST),Takenobu Yoshino(MIRAI-ASRC-AIST),Takamaro Kikkawa(RCNS,Hiroshima University)

キーワード: 低誘電率層間絶縁膜|メソポーラスシリカ|界面活性剤|機械的強度

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 723 Kバイト