130,90,65mm及びそれ以降の多層配線技術におけるlow-k絶縁膜技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05030

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): hallenge of low-k materials for 130,90,65nm mode interconnect technology and beyond

著者名: 宮島秀史(東芝),渡邊桂(東芝),藤田敬次(東芝),伊藤祥代(東芝),秋山和隆(東芝),蜂谷貴世(東芝),東和幸(東芝),中村直文(東芝),梶田明広(東芝),松永範昭(東芝),猪原正弘(東芝),本多健二(東芝),上條浩幸(東芝),中田錬平(東芝),矢野博之(東芝),早坂伸夫(東芝),柴田英毅(東芝),依田孝(東芝),田測清隆(ソニー),鳥山努(ソニー),榎本容幸(ソニー),金村龍一(ソニー),長谷川利昭(ソニー),門村新吾(ソニー)

著者名(英語): H.MiyaJlma|K.Watanabe|K.Fujita|S.Ito|K.Akiyama|T.Hachiya|K.Higashi|N.Nakamura|A.Kajita|N.Matsunaga|M.Inohara|K.Honda|H.Kamijo|R.Nakata|H.Yano|N.Hayasaka|H.Shibata|T.Yoda|K.Tabuchi|T.Shimayama.Y.Enomoto|R.Kanamura|T.Hasegawa|S.Kadomur

キーワード: 低誘電率|層間絶縁膜|多層配線|デュアルダマシン|ハイブリッド

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 986 Kバイト