HfAIOバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETの電気的特性とバッファ層の製膜条件との関係

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05031

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Effects of Fabrication Condition of HfAIO Buffer Layers on Electrical Properties of Ferroelectric-gate FETs

著者名: 高橋 光恵(独立行政法人 産業技術総合研究所),堀内 健史(独立行政法人 産業技術総合研究所),酒井 滋樹(独立行政法人 産業技術総合研究所)

著者名(英語): Mitsue Takahashi(AIST),Takeshi Horiuchi(AIST),Shigeki Sakai(AIST)

キーワード: 強誘電体ゲートFET|SBT|HfAIO|IT FeRAM|MFIS|保持特性

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 774 Kバイト