YMnO3/Y2O3/SiエピタキシャルMFIS構造の誘電特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05032

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Dielectric Prosperities of Epitaxial YMnO3/Y2O3/Si MFIS structure

著者名: 藤村 紀文(大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野),原武 耕平(大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野),吉村 武(大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野)

著者名(英語): Norifumi Fujimura(Osaka Prefecture Univ.),Kohei Haratake(Osaka Prefecture Univ.),Takeshi Yoshimura(Osaka Prefecture Univ.)

キーワード: 強誘電体ゲートトランジスタ|MFISキャパシタ|誘電特性|リーク電流|メモリ保持特性|YMnO3

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 986 Kバイト