ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート膜トランジスタ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM05033

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2005/06/03

タイトル(英語): Ferroelectric-Gate Thin Film Transistors Using ITO Channel

著者名: 徳光 永輔(東京工業大学),妹尾 賢(東京工業大学),宮迫 毅明(東京工業大学),藩 悦(東京工業大学)

著者名(英語): Eisuke,Tokumitsu|Masaru,Senoo|Takaaki,Miyasako|Etsu,Shin

キーワード: 薄膜トランジスタ|不揮発性メモリ|強誘電体ゲートトランジスタ|IT

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 867 Kバイト