MO-CVDによるSrBi2Ta2O9薄膜を用いた0.25μm級FeRAM用スタックキャパシタの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06001

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/06/28

タイトル(英語): Development of 0.25μm FeRAM stacked capacitor with MO-CVD SrBi2Ta2O9 film

著者名: 山野辺 智美(沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部),一森高示 (沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部),小澤 晋也(沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部),高屋 浩二(沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部),林 孝尚(沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部),足利 欣哉(沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部),小林 康孝(沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部),長友 良樹(沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部)

著者名(英語): Tomomi Yamanobe(Semiconductor R&D division,Semiconductor Business Group,Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Takashi Ichimori(Semiconductor R&D division,Semiconductor Business Group,Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Shinya Ozawa(Semiconductor R&D division,Semiconductor Business Group,Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Koji Takaya(Semiconductor R&D division,Semiconductor Business Group,Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Takahisa Hayashi(Semiconductor R&D division,Semiconductor Business Group,Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Kinya Ashikaga(Semiconductor R&D division,Semiconductor Business Group,Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Yasutaka Kobayashi(Semiconductor R&D division,Semiconductor Business Group,Oki Electric Industry Co.,Ltd.),Yoshiki Nagatomo(Semiconductor R&D division,Semiconductor Business Group,Oki Electric Industry Co.,Ltd.)

キーワード: SBT| MO-CVD| FeRAM| スタックキャパシタ|密封構造

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,017 Kバイト