高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06002

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/06/28

タイトル(英語): Fabrication of High-Performance, Highly Reliable HfSiON Gate Dielectric

著者名: 井上真雄 (㈱ルネサス テクノロジ,生産本部,ウエハプロセス技術統括部),水谷斉治 (㈱ルネサス テクノロジ,生産本部,ウエハプロセス技術統括部),林岳 (㈱ルネサス テクノロジ,生産本部,ウエハプロセス技術統括部),辻川真平 (㈱ルネサス テクノロジ,生産本部,ウエハプロセス技術統括部),志賀克哉 (㈱ルネサス テクノロジ,生産本部,ウエハプロセス技術統括部),土本淳一 (㈱ルネサス テクノロジ,生産本部,ウエハプロセス技術統括部),藤原啓司 (㈱ルネサス テクノロジ,生産本部,ウエハプロセス技術統括部),米田昌弘 (㈱ルネサス テクノロジ,生産本部,ウエハプロセス技術統括部),野村孝司 (㈱ルネサスセミコンダクタエンジニアリング,プロセス技術部)

著者名(英語): M.Inoue (Production and Technology Unit,Process Technology Development Div.,Renesas Technology Corp.),M.Mizutani (Production and Technology Unit,Process Technology Development Div.,Renesas Technology Corp.),T.Hayashi (Production and Technology Unit,Process Technology Development Div.,Renesas Technology Corp.),S.Tsujikawa (Production and Technology Unit,Process Technology Development Div.,Renesas Technology Corp.),K.Shiga (Production and Technology Unit,Process Technology Development Div.,Renesas Technology Corp.),J.Tsuchimoto (Production and Technology Unit,Process Technology Development Div.,Renesas Technology Corp.),K.Fujiwara (Production and Technology Unit,Process Technology Development Div.,Renesas Technology Corp.),M.Yoneda (Production and Technology Unit,Process Technology Development Div.,Renesas Technology Corp.),K.Nomura (Process Engineering Dept.,Renesas Semiconductor Engineering)

キーワード: high-k|ゲート絶縁膜|HfSiON|ゲートリーク|キャリア移動度|Fイオン注入|Vth安定性

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 636 Kバイト