極薄HfSiONゲート絶縁膜の絶縁破壊時間の決定

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06003

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/06/28

タイトル(英語): Determination of Time to Breakdown of 0.8-1.2 nm EOT HfSiON Gate Dielectrics with Poly-Si and Metal Gate Electrodes

著者名: 犬宮 誠治(半導体先端テクノロジーズ),奈良 安雄(半導体先端テクノロジーズ)

著者名(英語): Seiji Inumiya(Semiconductor Leading Edge Technologies,Inc.),Yasuo Nara(Semiconductor Leading Edge Technologies,Inc.)

キーワード: 変化ハフニウムシリケイト|高誘電率|絶縁破壊|キャリアセパレーション

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 800 Kバイト