高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06004

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/06/28

タイトル(英語): Nitrogen-Originated NBTI Mechanism in SiON with High-Nitrogen Concentration.

著者名: 佐久間 究(東芝),松下 大介(東芝),中崎 靖(東芝),加藤弘一 (東芝),村岡 浩一(東芝),三谷 祐一郎(東芝)

著者名(英語): Kiwamu Sakuma(Toshiba Corporation),Daisuke Matsushita(Toshiba Corporation),Yasushi Nakasaki(Toshiba Corporation),Koichi Kato(Toshiba Corporation),Koichi Muraoka(Toshiba Corporation),Yuuichiro Mitani(Toshiba Corporation)

キーワード: 負バイアス温度不安定性|閾値電圧シフト|酸窒化膜|高窒素濃度|フラットバンド電圧シフト|信頼性

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 922 Kバイト