高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06005

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/06/28

タイトル(英語): Improvement of Transistor Performance and Insulator Reliability by Robust high-k/IL/Si Structure with High Temperature Wet Treatment after HfON Deposition

著者名: 佐竹 秀喜(半導体MIRAIプロジェクト-ASET,現 東芝),岩本 邦彦(半導体MIRAIプロジェクト-ASET),高橋 正志(半導体MIRAIプロジェクト-ASET),門島勝(半導体MIRAIプロジェクト-ASET,現 Selete),太田裕之(半導体MIRAIプロジェクト-ASRC,AIST),小川有人(半導体MIRAIプロジェクト-ASET),育田目俊秀(半導体MIRAIプロジェクト-ASET),鳥海明(半導体MIRAIプロジェクト-ASRC,AIST,東京大学院)

著者名(英語): Hideki Satake|Kunihiko Iwamoto|Masashi Takahashi|Hiroyuki Ota|Arito Ogawa|Toshihide Nabatame|Akira Toriumi

キーワード: 高誘電率ゲート絶縁膜|界面層|高温ウェット酸化|ゲートリーク電流|信頼性

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 538 Kバイト