アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EFM06006

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子材料研究会

発行日: 2006/06/28

タイトル(英語): Effective hole mobility for Ge p-MOSFET with amorphous Zr silicate gate insulator

著者名: 鎌田 善己(東芝),井野 恒弘(東芝),上牟田 雄一(東芝),飯島 良介(東芝),小山 正人(東芝),西山 彰(東芝)

著者名(英語): Yoshiki Kamata(Toshiba Corporation),Tsunehiro Ino(Toshiba Corporation),Yuuichi Kamimuta(Toshiba Corporation),Ryosuke Iijima(Toshiba Corporation),Masato Koyama(Toshiba Corporation),Akira Nishiyama(Toshiba Corporation)

キーワード: Ge 基板|高誘電体膜|ジルコニア|ジルコニウムシリケート|Ge拡散|アモルファス|界面

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 999 Kバイト